碳化硅晶圆的生产，是先要制备碳化硅衬底，目前其制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法，其中以改进Lely法为主流。
Lely法，又称升华法，其基本原理是：在空心圆筒状石墨坩埚中（最外层石墨坩埚，内置多孔石墨环），将具有工业级纯度的碳化硅粉料投入坩埚与多孔石墨环之间加热到2500℃，碳化硅在此温度下分解与升华，产生一系列气相物质比如硅单晶、Si2C和SiC2等。由于坩埚内壁与多孔石墨环之间存在温度梯度，这些气相物质在多孔石墨环内壁随机生成晶核。但Lely法产率低，晶核难以控制，而且会形成不同结构，尺寸也有限制。
随着研究的深入，研究者提出了改进Lely法，也称为物理气相传输(PVT)法，在Lely法的基础上进行改进，将升华生长炉中引入籽晶，设计合适的温度梯度以控制SiC源到籽晶的物质运输，可以控制控制晶核和晶向，这种方法可以获得更大直径和较低扩展缺陷密度的SiC晶体。随着生长工艺的不断改进，采用该方法已实现产业化的公司有美国的Cree、Dowcorning、Ⅱ-Ⅵ，德国的SiCrystal，日本的NipponSteel，中国的山东天岳、天科合达等。
在PVT法中，影响SiC晶体合成的因素有很多，其中SiC粉体作为合成原料会直接影响SiC单晶的生长质量和电学性质。因此，近年来制备高纯的SiC粉体逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。目前行业内合成SiC粉体的方法主要有三种：第一种是固相法，固相法中最具代表性的是Acheson法和自蔓延高温合成法；第二种是液相法，液相法中最具代表性的是溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；第三种是气相法，气相法中最具代表性的是化学气相沉积法、等离子体法。
